Disco sólido SSD M.2 NVMe Samsung 990EVO Plus 1Tb PCIe 5.0 7150Mb/s

Descripción del producto

Rendimiento
Hasta 7.250 MB/s de velocidad de lectura secuencial, un 45% más rápido que el modelo anterior.

Eficiencia energética
Eficiencia energética mejorada en un 73% para obtener más MB/s por vatio, manteniendo el rendimiento y el control térmico.

Versatilidad
Hasta 4 TB de capacidad ampliada y rápido IntelligentTurboWrite 2.0 con región TurboWrite ampliada.
Más espacio y velocidad

Aprovecha toda la potencia de tu unidad con la función Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los gráficos pesados con una región TurboWrite ampliada.

Software Samsung Magician
Haz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es una forma fácil y segura de migrar todos tus datos para actualizar tu SSD Samsung. Protege los datos valiosos, controla la salud de la unidad y obtén las últimas actualizaciones de firmware.

Haciendo realidad las innovaciones
Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el próximo gran impulso de la innovación.

ESPECIFICACIONES
Uso: Client PCs
Interfaz: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimensiones: Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm
Peso: Máx 9.0 gramos
Rendimiento: Hasta 7.150 MB/s * El rendimiento puede variar en función del hardware o la configuración
Escritura secuencial: Hasta 6.300 MB/s * El rendimiento puede variar en función del hardware o la configuración
Uso: Client PCs
Capacidad: 1TB
Formato: M.2 (2280)
Interfaz: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimensiones (ancho x alto x fondo): Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm
Peso: Máx 9.0 gramos
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
Controller: Samsung in-house Controller
Memoria caché: HMB(Host Memory Buffer)
Soporte TRIM: Sí
Soporte S.M.A.R.T: Sí
GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
WWN: Not supported
Soporte Modo Suspensión en dispositivo: Sí
Lectura secuencial: Hasta 7.150 MB/s * El rendimiento puede variar en función del hardware o la configuración
Escritura secuencial: Hasta 6.300 MB/s * El rendimiento puede variar en función del hardware o la configuración
Lectura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 850.000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware o de la configuración
Escritura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 1.350.000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware o de la configuración
Consumo energético medio: Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W* El consumo real puede variar en función del hardware o de la configuración
Consumo energético (Idle): Típico 60 mW * El consumo real puede variar en función del hardware o de la configuración
Power Consumption (Device Sleep): Típico 5 mW * El consumo real puede variar en función del hardware o de la configuración
Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 %
Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ℃
Golpes: 1,500 G & 0.5 metros